AFT18P350-4S2LR6

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

1 A

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

65 V

利得：

16.1 dB

出力電力：

63 W

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

NI-1230-4

包装：

リール

構成：

独身

動作周波数：

1805 MHz to 1880 MHz

シリーズ：

AFT18P350_4S2L

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

NXP /フリースケール

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

150

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

1.2 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.9 V

パーツ番号エイリアス：

935317727128

単位重量：

0.300472 oz

Tags

AFT18, AFT1, AFT