SIR170DP-T1-RE3

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

E

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SO-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

95 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

4 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

- 5.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

93 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

チャネルモード：

枯渇

商標名：

TrenchFET

包装：

リール

ブランド：

Vishay / Siliconix

立ち下がり時間：

8 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

7 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

43 ns

典型的なターンオン遅延時間：

12 ns

Tags

SIR17, SIR1, SIR