2N6439

製品属性

属性値

メーカー：

Advanced Semiconductor、Inc。

製品カテゴリ：

RFバイポーラトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタタイプ：

バイポーラパワー

テクノロジー：

Si

トランジスタの極性：

NPN

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

10

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

33 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

4 V

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 200 C

取り付けスタイル：

スクリューマウント

パッケージ/ケース：

316-01

包装：

トレイ

動作周波数：

400 MHz

タイプ：

RFバイポーラパワー

ブランド：

Advanced Semiconductor、Inc。

ゲイン帯域幅積fT：

400 MHz

Pd-消費電力：

146 W

製品タイプ：

RFバイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

2N643, 2N64, 2N6