FDFMA2P029Z-F106

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

MicroFET-6

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

3.1 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

60 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

12 V

Qg-ゲートチャージ：

10 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.4 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

シリーズ：

FDFMA2P029Z

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

フォワード相互コンダクタンス-最小：

- 11 S

立ち下がり時間：

36 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

11 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

37 ns

典型的なターンオン遅延時間：

13 ns

パーツ番号エイリアス：

FDFMA2P029Z_F106

Tags

FDFMA2P029Z, FDFMA2P0, FDFMA2P, FDFMA2, FDFMA, FDFM, FDF