2N6432

製品属性

属性値

メーカー：

セントラルセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-18

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

200 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

200 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

0.5 V

ゲイン帯域幅積fT：

50 MHz

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 200 C

包装：

バルク

ブランド：

セントラルセミコンダクター

連続コレクタ電流：

100 mA

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

25 at 1 mA, 10 V

Pd-消費電力：

500 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

2000

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

2N6432 PBFREE

Tags

2N643, 2N64, 2N6