NJVMJD42CT4G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

DPAK-3

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

100 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

100 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

最大DCコレクタ電流：

6 A

ゲイン帯域幅積fT：

3 MHz

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

MJD42C

DC電流ゲインhFEMax：

30 at 300 mA, 4 V

高さ：

2.38 mm

長さ：

6.73 mm

包装：

リール

幅：

6.22 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

30

Pd-消費電力：

1750 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

資格：

AEC-Q101

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

NJVMJD42CT4G-VF01

単位重量：

0.012346 oz

Tags

NJVMJD42CT4G, NJVMJD42CT, NJVMJD42, NJVMJD4, NJVMJD, NJVM, NJV