NJVMJD41CT4G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-252-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

100 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

100 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

1.5 V

ゲイン帯域幅積fT：

3 MHz

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

MJD41C

DC電流ゲインhFEMax：

75

包装：

リール

ブランド：

オン・セミコンダクター

連続コレクタ電流：

6 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

15

Pd-消費電力：

1.75 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

資格：

AEC-Q101

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

NJVMJD41CT4G-VF01

単位重量：

0.011993 oz

Tags

NJVMJD41, NJVMJD4, NJVMJD, NJVM, NJV