FQD12N20LTM-F085P

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

DPAK-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

200 V

Id-連続ドレイン電流：

9 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

220 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

21 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

55 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

11.6 S

立ち下がり時間：

120 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

190 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

60 ns

典型的なターンオン遅延時間：

15 ns

パーツ番号エイリアス：

FQD12N20LTM_F085P

単位重量：

0.007055 oz

Tags

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