IFN112

製品属性

属性値

メーカー：

InterFET

製品カテゴリ：

JFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-18-3

トランジスタの極性：

Nチャネル

構成：

独身

Vgs-ゲート-ソース間降伏電圧：

- 50 V

Vgs = 0でのドレイン-ソース電流：

9 mA

Pd-消費電力：

360 mW

包装：

バルク

タイプ：

JFET

ブランド：

InterFET

フォワード相互コンダクタンス-最小：

7 mS

ゲート-ソースカットオフ電圧：

- 1.2 V

ファクトリーパックの数量：

1

Tags

IFN1, IFN