STAC1011-350

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

2 uA

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

80 V

利得：

15 dB

出力電力：

350 W

最高作動温度：

+ 200 C

取り付けスタイル：

スクリューマウント

パッケージ/ケース：

STAC265B-3

包装：

チューブ

動作周波数：

1.03 GHz to 1.09 GHz

シリーズ：

STAC1011-350

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

STMicroelectronics

チャネル数：

1 Channel

Pd-消費電力：

1.44 kW

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

90

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

単位重量：

0.074075 oz

Tags

STAC1, STAC, STA