2SB1236ATV2Q

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

スルーホール

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

- 160 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

- 160 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

- 5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

- 2 V

最大DCコレクタ電流：

- 3 A

ゲイン帯域幅積fT：

50 MHz

最高作動温度：

+ 150 C

DC電流ゲインhFEMax：

180

高さ：

4.4 mm

長さ：

6.8 mm

包装：

弾薬パック

幅：

2.5 mm

ブランド：

ロームセミコンダクター

連続コレクタ電流：

- 1.5 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

82

Pd-消費電力：

10 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

2SB1236A, 2SB1236, 2SB123, 2SB12, 2SB1, 2SB