UT6J3TCR

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

HUML2020L-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

3 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

60 mOhms, 60 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

8 V

Qg-ゲートチャージ：

8.5 nC, 8.5 nC

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

トランジスタタイプ：

2 P-Channel

ブランド：

ロームセミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

4 S, 4 S

立ち下がり時間：

35 ns, 35 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

30 ns, 30 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

120 ns, 120 ns

典型的なターンオン遅延時間：

10 ns, 10 ns

パーツ番号エイリアス：

UT6J3

Tags

UT6J3, UT6J, UT6