CSD25481F4T

製品属性

属性値

メーカー：

テキサスインスツルメンツ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

E

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PICOSTAR-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

2.5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

800 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

950 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

12 V

Qg-ゲートチャージ：

913 pC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

500 mW (1/2 W)

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

FemtoFET

包装：

リール

高さ：

0.35 mm

長さ：

1 mm

シリーズ：

CSD25481F4

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

タイプ：

FemtoFET MOSFET

幅：

0.64 mm

ブランド：

テキサスインスツルメンツ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

3.3 S

立ち下がり時間：

6.7 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

3.6 ns

ファクトリーパックの数量：

250

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

16.9 ns

典型的なターンオン遅延時間：

4.1 ns

単位重量：

0.000014 oz

Tags

CSD2548, CSD254, CSD25, CSD2, CSD