MRF6V3090NR1

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

E

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

115 V

利得：

22 dB

出力電力：

18 W

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-272-4

包装：

リール

構成：

独身

動作周波数：

0.47 GHz to 0.86 GHz

シリーズ：

MRF6V3090N

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

NXP /フリースケール

感湿性：

はい

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

500

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.4 V

パーツ番号エイリアス：

935321513528

単位重量：

0.058073 oz

Tags

MRF6V3, MRF6V, MRF6, MRF