NCD5701CDR2G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

ゲートドライバー

JBoss：

Y

製品：

IGBT、MOSFETゲートドライバ

タイプ：

ハイサイド、ローサイド

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOIC-8

ドライバーの数：

1 Driver

出力数：

1 Output

出力電流：

1 A

立ち上がり時間：

18 ns

立ち下がり時間：

19 ns

供給電圧-最小：

- 15 V

供給電圧-最大：

30 V

動作供給電流：

10 uA

Pd-消費電力：

700 mW

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 125 C

シリーズ：

NCD5701

包装：

リール

出力電圧：

800 mV, 14.1 V

テクノロジー：

Si

ブランド：

オン・セミコンダクター

シャットダウン：

シャットダウン

最大ターンオフ遅延時間：

75 ns

最大ターンオン遅延時間：

75 ns

製品タイプ：

ゲートドライバー

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

PMIC-パワーマネジメントIC

Tags

NCD5701, NCD57, NCD5, NCD