NVD6820NLT4G-VF01

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

DPAK-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

90 V

Id-連続ドレイン電流：

50 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

16.7 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

83 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

100 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

包装：

リール

ブランド：

オン・セミコンダクター

立ち下がり時間：

59 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

98 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

36 ns

典型的なターンオン遅延時間：

19 ns

Tags

NVD6820NLT, NVD6820, NVD68, NVD6, NVD