IPP114N12N3 G

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

120 V

Id-連続ドレイン電流：

75 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

11.4 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

49 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

136 W

構成：

独身

商標名：

OptiMOS

包装：

チューブ

高さ：

15.65 mm

長さ：

10 mm

シリーズ：

OptiMOS 3

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

4.4 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

立ち下がり時間：

7 nS

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

36 nS

ファクトリーパックの数量：

500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

30 nS

パーツ番号エイリアス：

IPP114N12N3GXK IPP114N12N3GXKSA1 SP000652740

単位重量：

0.211644 oz

Tags

IPP114N12N3G, IPP114N12N3, IPP114N1, IPP114, IPP11, IPP1, IPP