IXTY02N120P

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-252-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

1.2 kV

Id-連続ドレイン電流：

200 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

75 Ohms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

33 W

構成：

独身

包装：

チューブ

シリーズ：

IXTY02N120

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

IXYS

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

70

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.081130 oz

Tags

IXTY02N1, IXTY02, IXTY0, IXTY, IXT