STAC250V2-500E

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

1 uA

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

900 V

利得：

23 dB

出力電力：

500 W

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

STAC177B

包装：

バルク

動作周波数：

27 MHz

シリーズ：

STAC250V2

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

STMicroelectronics

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

単位重量：

0.014110 oz

Tags

STAC2, STAC, STA