TK6Q60W,S1VQ

製品属性

属性値

メーカー：

東芝

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-251-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

6.2 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

680 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3.7 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

Qg-ゲートチャージ：

12 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

60 W

構成：

独身

商標名：

DTMOSIV

高さ：

6.1 mm

長さ：

6.65 mm

シリーズ：

TK6Q60W

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

2.3 mm

ブランド：

東芝

立ち下がり時間：

7 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

18 ns

ファクトリーパックの数量：

75

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

55 ns

典型的なターンオン遅延時間：

40 ns

単位重量：

0.139332 oz

Tags

TK6Q60W, TK6Q60, TK6Q, TK6