GB100XCP12-227

製品属性

属性値

メーカー：

GeneSiC半導体

製品カテゴリ：

IGBTモジュール

JBoss：

Y

テクノロジー：

SiC

製品：

IGBTシリコンカーバイドモジュール

構成：

IGBT-インバーター

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

1200 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

1.9 V

ゲートエミッタリーク電流：

400 nA

パッケージ/ケース：

SOT-227

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 175 C

包装：

バルク

シリーズ：

GB100XCP12

ブランド：

GeneSiC半導体

取り付けスタイル：

SMD / SMT

最大ゲートエミッタ電圧：

20 V

製品タイプ：

IGBTモジュール

ファクトリーパックの数量：

10

サブカテゴリ：

IGBT

単位重量：

1.058219 oz

Tags

GB100, GB10, GB1