R6030ENZ4C13

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-247-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

30 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

130 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

85 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

305 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

ロームセミコンダクター

立ち下がり時間：

60 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

55 ns

ファクトリーパックの数量：

30

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

190 ns

典型的なターンオン遅延時間：

40 ns

Tags

R6030ENZ, R6030E, R6030, R603, R60