IPL65R190E6AUMA1

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

VSON-4

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

650 V

Id-連続ドレイン電流：

20.2 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

190 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

73 nC

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

151 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

CoolMOS

包装：

リール

高さ：

1.1 mm

長さ：

8 mm

シリーズ：

CoolMOS E6

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

8 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

立ち下がり時間：

10 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

11 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

112 ns

典型的なターンオン遅延時間：

12 ns

パーツ番号エイリアス：

IPL65R190E6AUMA1 SP001074938

Tags

IPL65R19, IPL65R1, IPL65R, IPL65, IPL6, IPL