2SA854STPQ

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

32 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

40 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

最大DCコレクタ電流：

0.5 A

ゲイン帯域幅積fT：

200 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

DC電流ゲインhFEMax：

120 at 100 mA, 3 V

高さ：

3 mm

長さ：

4 mm

包装：

弾薬パック

幅：

2 mm

ブランド：

ロームセミコンダクター

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

120

Pd-消費電力：

300 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

5000

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

2SA854ST, 2SA854S, 2SA854, 2SA85, 2SA8, 2SA