MRFE6VP61K25HSR5

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

10 uA

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

133 V

利得：

24 dB

出力電力：

1.25 kW

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

NI-1230S

包装：

リール

構成：

独身

動作周波数：

1.8 MHz, 600 MHz

シリーズ：

MRFE6VP61K25H

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

NXP /フリースケール

Pd-消費電力：

1.333 kW

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.2 V

パーツ番号エイリアス：

935314409178

単位重量：

0.299419 oz

Tags

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