STB25NM60N-1

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-262-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

20 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

170 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

25 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

160 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

高さ：

8.95 mm

長さ：

10 mm

シリーズ：

STB25NM60N

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

4.4 mm

ブランド：

STMicroelectronics

フォワード相互コンダクタンス-最小：

17 S

立ち下がり時間：

24 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

18 ns

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

94 ns

典型的なターンオン遅延時間：

24.5 ns

単位重量：

0.050717 oz

Tags

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