STB150N3LH6

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-263-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

80 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

3 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

80 nC

Pd-消費電力：

110 W

構成：

独身

包装：

リール

シリーズ：

STB150N3LH6

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

STMicroelectronics

立ち下がり時間：

40 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

85 ns

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

100 ns

典型的なターンオン遅延時間：

15 ns

単位重量：

0.139332 oz

Tags

STB150, STB15, STB1, STB