SI7962DP-T1-E3

SI7962DP-T1-E3
Mfr. #:
SI7962DP-T1-E3
メーカー:
Vishay
説明:
RF Bipolar Transistors MOSFET DUAL N-CH 40V (D-S) HIGH THRESHOLD
ライフサイクル:
メーカー新製品
データシート:
SI7962DP-T1-E3 データシート
配達:
DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
製品属性
属性値
メーカー
Vishay Siliconix
製品カテゴリ
FET-アレイ
シリーズ
TrenchFETR
包装
Digi-ReelR代替パッケージ
パーツエイリアス
SI7962DP-E3
単位重量
0.017870 oz
取り付けスタイル
SMD / SMT
パッケージ-ケース
PowerPAKR SO-8 Dual
テクノロジー
Si
作動温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
表面実装
チャネル数
2 Channel
サプライヤー-デバイス-パッケージ
PowerPAKR SO-8 Dual
構成
デュアル
FETタイプ
2 N-Channel (Dual)
パワーマックス
1.4W
トランジスタタイプ
2 N-Channel
Drain-to-Source-Voltage-Vdss
40V
入力-静電容量-Ciss-Vds
-
FET機能
標準
Current-Continuous-Drain-Id-25°C
7.1A
Rds-On-Max-Id-Vgs
17 mOhm @ 11.1A, 10V
Vgs-th-Max-Id
4.5V @ 250μA
ゲートチャージ-Qg-Vgs
70nC @ 10V
Pd-電力損失
1.4 W
最高作動温度
+ 150 C
最低作動温度
- 55 C
立ち下がり時間
15 ns
立ち上がり時間
15 ns
Vgs-Gate-Source-Voltage
20 V
Id-連続-ドレイン-電流
7.1 A
Vds-ドレイン-ソース-ブレークダウン-電圧
40 V
Rds-On-Drain-Source-Resistance
17 mOhms
トランジスタ-極性
Nチャネル
典型的なターンオフ遅延時間
55 ns
典型的なターンオン遅延時間
22 ns
チャネルモード
強化
Tags
SI7962, SI796, SI79, SI7
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Packaging Boxes
***i-Key
MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8
***ark
Transistor; Continuous Drain Current, Id:11100mA; Drain Source Voltage, Vds:40V; On Resistance, Rds(on):0.017ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Threshold Voltage, Vgs Typ:4.5V; Power Dissipation, Pd:1.4W ;RoHS Compliant: Yes
モデル メーカー 説明 ストック 価格
SI7962DP-T1-E3
DISTI # SI7962DP-T1-E3TR-ND
Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)
Temporarily Out of Stock
  • 3000:$1.8873
SI7962DP-T1-E3
DISTI # 781-SI7962DP-T1-E3
Vishay IntertechnologiesMOSFET DUAL N-CH 40V (D-S) HIGH THRESHOLD
RoHS: Compliant
0
  • 3000:$1.7200
画像 モデル 説明
SI7962DP-T1-E3

Mfr.#: SI7962DP-T1-E3

OMO.#: OMO-SI7962DP-T1-E3

MOSFET DUAL N-CH 40V (D-S) HIGH THRESHOLD
SI7962DP-T1-GE3

Mfr.#: SI7962DP-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI7962DP-T1-GE3

MOSFET 40V 11.1A 3.5W 17mohm @ 10V
SI7962DP-T1-GE3

Mfr.#: SI7962DP-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI7962DP-T1-GE3-317

RF Bipolar Transistors MOSFET 40V 11.1A 3.5W 17mohm @ 10V
SI7962DP-T1-E3

Mfr.#: SI7962DP-T1-E3

OMO.#: OMO-SI7962DP-T1-E3-VISHAY

RF Bipolar Transistors MOSFET DUAL N-CH 40V (D-S) HIGH THRESHOLD
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500
$2.19
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1000
$2.06
$2 064.00
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