FF225R12ME4PBPSA1

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

IGBTモジュール

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

製品：

IGBTシリコンモジュール

構成：

ハーフブリッジ

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

1.2 kV

コレクター-エミッター飽和電圧：

1.85 V

25℃での連続コレクタ電流：

450 A

ゲートエミッタリーク電流：

400 nA

Pd-消費電力：

20 mW

パッケージ/ケース：

モジュール

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

包装：

トレイ

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

取り付けスタイル：

シャーシマウント

最大ゲートエミッタ電圧：

20 V

製品タイプ：

IGBTモジュール

ファクトリーパックの数量：

6

サブカテゴリ：

IGBT

パーツ番号エイリアス：

FF225R12ME4P SP001344492

Tags

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