IXTA80N12T2

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

MOSFET

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-263-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

120 V

Id-連続ドレイン電流：

80 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

17 mOhms

構成：

独身

商標名：

HiPerFET

包装：

チューブ

シリーズ：

IXTA80N12

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

IXYS

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.056438 oz

Tags

IXTA80N1, IXTA80, IXTA8, IXTA, IXT