IXTA80N10T

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-263-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

105 V

Id-連続ドレイン電流：

80 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

14 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

60 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

230 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

TrenchMV

包装：

チューブ

高さ：

4.83 mm

長さ：

9.65 mm

シリーズ：

IXTA80N10

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

TrenchMVパワーMOSFET

幅：

10.41 mm

ブランド：

IXYS

フォワード相互コンダクタンス-最小：

33 S

立ち下がり時間：

48 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

54 ns

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

40 ns

典型的なターンオン遅延時間：

31 ns

単位重量：

0.056438 oz

Tags

IXTA80N10, IXTA80N1, IXTA80, IXTA8, IXTA, IXT