2SB1189T100Q

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-89-3

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

- 80 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

- 80 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

- 5 V

最大DCコレクタ電流：

- 0.7 A

ゲイン帯域幅積fT：

120 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

2SB1189

DC電流ゲインhFEMax：

120 at 100 mA, 3 V

高さ：

1.5 mm

長さ：

4.5 mm

包装：

リール

幅：

2.5 mm

ブランド：

ロームセミコンダクター

連続コレクタ電流：

- 0.7 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

120

Pd-消費電力：

2 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.004603 oz

Tags

2SB1189T100Q, 2SB1189T100, 2SB1189T, 2SB1189, 2SB118, 2SB11, 2SB1, 2SB