BUJD105AD,118

製品属性

属性値

メーカー：

WeEnセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

DPAK-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

400 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

700 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

0.35 V

最大DCコレクタ電流：

8 A

最高作動温度：

+ 150 C

DC電流ゲインhFEMax：

36

高さ：

2.38 mm

長さ：

6.73 mm

包装：

リール

幅：

6.22 mm

ブランド：

WeEnセミコンダクター

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

8

Pd-消費電力：

80 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

934063378118

単位重量：

0.009185 oz

Tags

BUJD1, BUJD, BUJ