MTW32N20EG

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-247-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

200 V

Id-連続ドレイン電流：

32 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

75 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

180 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

高さ：

20.3 mm

長さ：

15.9 mm

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

MOSFET

幅：

5.3 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

12 S

立ち下がり時間：

91 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

120 ns

ファクトリーパックの数量：

30

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

75 ns

典型的なターンオン遅延時間：

25 ns

単位重量：

1.340411 oz

Tags

MTW32N20, MTW32N2, MTW32, MTW3, MTW