EMZ1DXV6T5G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-563-6

トランジスタの極性：

PNP

構成：

デュアル

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

- 60 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

- 50 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

6 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

- 0.5 V

最大DCコレクタ電流：

0.1 A

ゲイン帯域幅積fT：

140 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

高さ：

0.55 mm

長さ：

1.6 mm

包装：

リール

幅：

1.2 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

連続コレクタ電流：

- 0.1 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

120

Pd-消費電力：

357 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

8000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.000106 oz

Tags

EMZ1D, EMZ1, EMZ