STL23NM60ND

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PowerFLAT-8x8-HV-5

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

19.5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

150 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

4 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

25 V

Qg-ゲートチャージ：

70 nC

Pd-消費電力：

3 W

構成：

独身

包装：

リール

シリーズ：

STL23NM60ND

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

STMicroelectronics

立ち下がり時間：

40 ns

感湿性：

はい

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

45 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.529109 oz

Tags

STL23NM, STL23, STL2, STL