MUN5112DW1T1G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-プリバイアス

JBoss：

Y

構成：

デュアル

トランジスタの極性：

PNP

一般的な入力抵抗：

22 kOhms

典型的な抵抗比：

1

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SC-88-6

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

60

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

50 V

連続コレクタ電流：

- 0.1 A

ピークDCコレクタ電流：

100 mA

Pd-消費電力：

250 mW

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

MUN5112DW1

包装：

リール

DC電流ゲインhFEMax：

60 at 5 mA at 10 V

高さ：

0.9 mm

長さ：

2 mm

幅：

1.25 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ-プリバイアス

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

MUN5112D, MUN5112, MUN511, MUN51, MUN5, MUN