2DB1386R-13

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-89-3

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

- 20 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

- 30 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

- 6 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

- 250 mV

最大DCコレクタ電流：

- 5 A

ゲイン帯域幅積fT：

100 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

2DB13

DC電流ゲインhFEMax：

180 at 500 mA, 2 V

高さ：

1.5 mm

長さ：

4.5 mm

包装：

リール

幅：

2.48 mm

ブランド：

組み込まれたダイオード

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

180 at 500 mA, 2 V

Pd-消費電力：

1000 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.004603 oz

Tags

2DB1386R, 2DB13, 2DB1, 2DB