IRF7759L2TR1PBF

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

DirectFET-L8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

75 V

Id-連続ドレイン電流：

160 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1.8 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

4 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

200 nC

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

125 W

構成：

独身

包装：

リール

高さ：

0.74 mm

長さ：

9.15 mm

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

7.1 mm

ブランド：

インフィニオン/ IR

フォワード相互コンダクタンス-最小：

74 S

立ち下がり時間：

33 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

37 ns

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

パーツ番号エイリアス：

SP001566426

単位重量：

0.035274 oz

Tags

IRF7759, IRF775, IRF77, IRF7, IRF