BSS670S2L H6327

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-23-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

55 V

Id-連続ドレイン電流：

540 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

345 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

2.26 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

360 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

包装：

リール

高さ：

1.1 mm

長さ：

2.9 mm

シリーズ：

BSS670S2

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

1.3 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

600 mS

立ち下がり時間：

24 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

25 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

21 ns

典型的なターンオン遅延時間：

9 ns

パーツ番号エイリアス：

BSS670S2LH6327XTSA1 BSS67S2LH6327XT SP000928950

単位重量：

0.000282 oz

Tags

BSS670S2LH63, BSS670S2LH, BSS670, BSS67, BSS6, BSS