BSO080P03NS3E G

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SO-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

14.8 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

8 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

25 V

Qg-ゲートチャージ：

- 61 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2.5 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

OptiMOS

包装：

リール

高さ：

1.75 mm

長さ：

4.9 mm

シリーズ：

OptiMOS 3P3

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

幅：

3.9 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

44 S

立ち下がり時間：

19 ns

感湿性：

はい

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

47 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

64 ns

典型的なターンオン遅延時間：

16 ns

パーツ番号エイリアス：

BSO080P03NS3EGXUMA1 BSO8P3NS3EGXT SP000472992

単位重量：

0.019048 oz

Tags

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