SI3435DV-T1-E3

SI3435DV-T1-E3
Mfr. #:
SI3435DV-T1-E3
メーカー:
Vishay / Siliconix
説明:
MOSFET 12V 4.8A 2W
ライフサイクル:
メーカー新製品
データシート:
SI3435DV-T1-E3 データシート
配達:
DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
詳しくは:
SI3435DV-T1-E3 詳しくは
製品属性
属性値
メーカー:
ビシェイ
製品カテゴリ:
MOSFET
JBoss:
Y
テクノロジー:
Si
取り付けスタイル:
SMD / SMT
パッケージ/ケース:
TSOP-6
商標名:
TrenchFET
包装:
リール
高さ:
1.1 mm
長さ:
3.05 mm
シリーズ:
SI3
幅:
1.65 mm
ブランド:
Vishay / Siliconix
製品タイプ:
MOSFET
ファクトリーパックの数量:
3000
サブカテゴリ:
MOSFET
パーツ番号エイリアス:
SI3435DV-T1
単位重量:
0.000705 oz
Tags
SI3435, SI343, SI34, SI3
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***ser
P-Channel MOSFETs 12V 4.8A 2W
Si3 MOSFETs
Vishay/Siliconix Si3 MOSFETs are a TrenchFET® power MOSFETs operate in an enhancement mode. These Si3 MOSFETs are available in N-channel, P-channel, and N- and P-channel with ultra-low RDS(ON) for high-efficiency. These MOSFETs are also available in different VGS and VDS ranges. The Si3 MOSFETs incorporate Si technology and operate at a temperature ranging from -55ºC to 150ºC. These MOSFETs are a surface mount, 100% Rg and UIS tested, and comes in a reel-package.Learn More
モデル メーカー 説明 ストック 価格
SI3435DV-T1-E3
DISTI # 781-SI3435DV-E3
Vishay IntertechnologiesMOSFET 12V 4.8A 2W
RoHS: Compliant
0
  • 3000:$0.3410
  • 6000:$0.3180
  • 9000:$0.3060
  • 24000:$0.2940
画像 モデル 説明
SI3435DV-T1-GE3

Mfr.#: SI3435DV-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI3435DV-T1-GE3

MOSFET 12V 6.3A 2.0W 36mohm @ 4.5V
SI3435DV-T1-E3

Mfr.#: SI3435DV-T1-E3

OMO.#: OMO-SI3435DV-T1-E3

MOSFET 12V 4.8A 2W
SI3435DV-T1

Mfr.#: SI3435DV-T1

OMO.#: OMO-SI3435DV-T1-1190

4800 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
SI3435DV-T1-GE3

Mfr.#: SI3435DV-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI3435DV-T1-GE3-317

RF Bipolar Transistors MOSFET 12V 6.3A 2.0W 36mohm @ 4.5V
SI3435DV-T1-E3

Mfr.#: SI3435DV-T1-E3

OMO.#: OMO-SI3435DV-T1-E3-317

RF Bipolar Transistors MOSFET 12V 4.8A 2W
可用性
ストック:
Available
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