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| モデル | メーカー | 説明 | ストック | 価格 |
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| BSC119N03MSC G DISTI # N/A | Infineon Technologies AG | MOSFET N-KANAL POWER MOS | 0 | |
| BSC119N03MSCG | Infineon Technologies AG | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.0119ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET RoHS: Not Compliant | 160000 |
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| 画像 | モデル | 説明 |
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Mfr.#: BSC119N03LSG OMO.#: OMO-BSC119N03LSG-1190 |
ブランドニューオリジナル |
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Mfr.#: BSC119N03MSC OMO.#: OMO-BSC119N03MSC-1190 |
ブランドニューオリジナル |
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Mfr.#: BSC119N03MSC G OMO.#: OMO-BSC119N03MSC-G-1190 |
MOSFET N-KANAL POWER MOS |
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Mfr.#: BSC119N03S OMO.#: OMO-BSC119N03S-1190 |
ブランドニューオリジナル |
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Mfr.#: BSC119N03S G OMO.#: OMO-BSC119N03S-G-1190 |
ブランドニューオリジナル |
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Mfr.#: BSC119N03S G |
MOSFET N-CH 30V 30A TDSON-8 |
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Mfr.#: BSC119N03SG OMO.#: OMO-BSC119N03SG-1190 |
ブランドニューオリジナル |
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Mfr.#: BSC119N03SG 119N03S OMO.#: OMO-BSC119N03SG-119N03S-1190 |
ブランドニューオリジナル |
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Mfr.#: BSC119N3S OMO.#: OMO-BSC119N3S-1190 |
ブランドニューオリジナル |
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Mfr.#: BSC119N3SG OMO.#: OMO-BSC119N3SG-1190 |
ブランドニューオリジナル |