EFC3J018NUZTDG

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

WLCSP-6

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

23 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

4.7 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

500 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

4.5 V

Qg-ゲートチャージ：

75 nC

最低動作温度：

-

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2.5 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

枯渇

包装：

リール

シリーズ：

EFC3J018NUZ

トランジスタタイプ：

デュアルNチャネル

ブランド：

オン・セミコンダクター

立ち下がり時間：

2800 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

890 ns

ファクトリーパックの数量：

5000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

4100 ns

典型的なターンオン遅延時間：

280 ns

Tags

EFC3, EFC