PSMN8R5-100ESFQ

製品属性

属性値

メーカー：

Nexperia

製品カテゴリ：

MOSFET

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

I2PAK-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

97 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

8.8 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

44.5 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

183 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

Nexperia

立ち下がり時間：

23.6 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

26.8 ns

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

31.5 ns

典型的なターンオン遅延時間：

16.8 ns

Tags

PSMN8R5-100E, PSMN8R5-100, PSMN8R5-1, PSMN8R5, PSMN8, PSMN, PSM