MSB710-RT1G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SC-59-3

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

- 60 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

- 50 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

7 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

- 0.6 V

最大DCコレクタ電流：

0.5 A

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

高さ：

1.09 mm

長さ：

2.9 mm

包装：

リール

幅：

1.5 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

連続コレクタ電流：

- 0.5 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

120

Pd-消費電力：

200 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.000282 oz

Tags

MSB710-RT1G, MSB710-RT1, MSB710-RT, MSB710-R, MSB71, MSB7, MSB