A2V09H400-04NR3

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

デュアルNチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

2.1 A

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

- 500 mV, 105 V

利得：

17.9 dB

出力電力：

107 W

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

OM-780-4

包装：

リール

動作周波数：

720 MHz to 960 MHz

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

NXP /フリースケール

チャネル数：

2 Channel

感湿性：

はい

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

250

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

- 6 V, 10 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.3 V

パーツ番号エイリアス：

935337372528

単位重量：

0.108416 oz

Tags

A2V09, A2V0, A2V