SI3447CDV-T1-E3

Mfr. #:: SI3447CDV-T1-E3
メーカー:: Vishay
説明:: IGBT Transistors MOSFET 12V 7.8A 3.0W 36mohm @ 4.5V
ライフサイクル:: メーカー新製品
データシート:: SI3447CDV-T1-E3 データシート
配達:: DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:: T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:

製品属性
属性値

メーカー: VISHAY

製品カテゴリ: ICチップ

包装: リール

パーツエイリアス: SI3447CDV-E3

単位重量: 0.000705 oz

取り付けスタイル: SMD / SMT

パッケージ-ケース: TSOP-6

テクノロジー: Si

チャネル数: 1 Channel

構成: 独身

トランジスタタイプ: 1 P-Channel

Pd-電力損失: 2 W

最高作動温度: + 150 C

最低作動温度: - 55 C

立ち下がり時間: 20 ns

立ち上がり時間: 40 ns

Vgs-Gate-Source-Voltage: 8 V

Id-連続-ドレイン-電流: 6.3 A

Vds-ドレイン-ソース-ブレークダウン-電圧: - 12 V

Rds-On-Drain-Source-Resistance: 36 mOhms

トランジスタ-極性: Pチャネル

典型的なターンオフ遅延時間: 35 ns

典型的なターンオン遅延時間: 20 ns

チャネルモード: 強化

Tags: SI3447CDV-T, SI3447C, SI3447, SI344, SI34, SI3

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SI3447CDV-T1-E3 説明

***ure Electronics: Single P-Channel 12 V 0.068 Ohm 18 nC 2 W Silicon Surface Mount Mosfet - SC-74

***ical: Trans MOSFET P-CH 12V 6.3A 6-Pin TSOP T/R

***ark: Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:-7800mA; Drain Source Voltage, Vds:-12V; On Resistance, Rds(on):0.068ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:8V; Threshold Voltage, Vgs Typ:-1V; Power Dissipation, Pd:2W ;RoHS Compliant: Yes

Market price

モデル	メーカー	説明	ストック	価格
SI3447CDV-T1-E3 DISTI # SI3447CDV-T1-E3CT-ND	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 12V 7.8A 6TSOP RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Cut Tape (CT)	1In Stock	1:$0.7500
SI3447CDV-T1-E3 DISTI # SI3447CDV-T1-E3TR-ND	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 12V 7.8A 6TSOP RoHS: Compliant Min Qty: 3000 Container: Tape & Reel (TR)	Limited Supply - Call
SI3447CDV-T1-E3 DISTI # SI3447CDV-T1-E3DKR-ND	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 12V 7.8A 6TSOP RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Digi-Reel®	Limited Supply - Call
SI3447CDV-T1-E3 DISTI # 781-SI3447CDV-E3	Vishay Intertechnologies	MOSFET -12V Vds 8V Vgs TSOP-6 RoHS: Compliant	0
SI3447CDV-T1-E3 DISTI # 1684051	Vishay Intertechnologies	MOSFET, P, TSOP-6 RoHS: Compliant	0	5:£0.6610 25:£0.5920 100:£0.5900 250:£0.5450 500:£0.4990

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画像	モデル	説明
	Mfr.#: SI3447CDV-T1-E3 OMO.#: OMO-SI3447CDV-T1-E3	MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI3493DDV-T1-GE3
	Mfr.#: SI3447CDV-T1-E3 OMO.#: OMO-SI3447CDV-T1-E3-VISHAY	IGBT Transistors MOSFET 12V 7.8A 3.0W 36mohm @ 4.5V
	Mfr.#: SI3447CDV OMO.#: OMO-SI3447CDV-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: SI3447CDV-T1-GE3 OMO.#: OMO-SI3447CDV-T1-GE3-VISHAY	MOSFET P-CH 12V 7.8A 6-TSOP
	Mfr.#: SI3447CDVT1GE3 OMO.#: OMO-SI3447CDVT1GE3-1190	Small Signal Field-Effect Transistor, 7.8A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
	Mfr.#: SI3447CDV-T1-G OMO.#: OMO-SI3447CDV-T1-G-1190	ブランドニューオリジナル