DMT10H072LFDF-7

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

U-DFN2020-6

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

4 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

62 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

5.1 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.8 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

ブランド：

組み込まれたダイオード

立ち下がり時間：

3.2 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

2.8 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

9.5 ns

典型的なターンオン遅延時間：

3 ns

単位重量：

0.000229 oz

Tags

DMT10H07, DMT10H0, DMT10, DMT1, DMT