CG2H80120D-GP4

CG2H80120D-GP4
Mfr. #:
CG2H80120D-GP4
メーカー:
N/A
説明:
RF JFET Transistors GaN HEMT Bare Die 28V DC-8.0GHz 120W
ライフサイクル:
メーカー新製品
データシート:
CG2H80120D-GP4 データシート
配達:
DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
製品属性
属性値
メーカー:
MACOM
製品カテゴリ:
RFJFETトランジスタ
JBoss:
Y
トランジスタタイプ:
MESFET
テクノロジー:
GaAs
利得:
20.5 dB
Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧:
8 V
Id-連続ドレイン電流:
375 mA
最低動作温度:
- 40 C
最高作動温度:
+ 85 C
取り付けスタイル:
SMD / SMT
パッケージ/ケース:
PQFN-20
包装:
リール
動作周波数:
1 GHz
動作温度範囲:
- 40 C to + 85 C
製品:
RF JFET
タイプ:
GaAs MESFET
ブランド:
MACOM
NF-雑音指数:
5.5 dB
P1dB-圧縮ポイント:
26 dBm
製品タイプ:
RFJFETトランジスタ
ファクトリーパックの数量:
1000
サブカテゴリ:
トランジスタ
Tags
CG2H8, CG2H, CG2
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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画像 モデル 説明
CG2H80120D-GP4

Mfr.#: CG2H80120D-GP4

OMO.#: OMO-CG2H80120D-GP4

RF JFET Transistors GaN HEMT Bare Die 28V DC-8.0GHz 120W
可用性
ストック:
Available
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